遗迹 2 在切换世界场景时西数 SN850 1TB 出现 SLC 缓存溢出导致卡顿，是不是该优化写入策略？

看到场景加载时间从 15 秒缩短至 6 秒的瞬间，我简直兴奋得想大喊，这速度太顶了！西数 SN850 1TB 在处理大规模资源解压时，SLC 动态缓存一旦写满，随机读取延迟在 55-82ms 之间剧烈跳动，导致画面出现微卡顿。我首先尝试在系统中增加虚拟内存，结果不仅没缓解卡顿，反而导致磁盘 I/O 冲突增加，这种方案完全不可接受。随后我安装了 WD 官方最新的驱动程序，并在性能选项中启用了强制写入缓存刷新策略，同时将磁盘碎片整理设为计划执行。在 CrystalDiskMark 测试中，4K 随机读取从 42MB/s 提升至 61-68MB/s，卡顿现象彻底消失。其实初次调整策略后系统出现了短暂的识别延迟，直到我将电源管理切换至高性能后才彻底稳定。此时硬盘温度在 45-52℃ 之间。通过驱动面板将高性能读写模式切换成功。